江苏森尼克电子科技有限公司 main business:自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外),智能磁传感模组及相关电子产品的设计、生产、研发及销售并提供售后服务,研发和生产高灵敏度磁敏材料、晶圆、芯片和磁传感器。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2012年08月24日
- 郑律
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- 2012年08月24日 至 2042年08月23日
- 江苏省张家港保税区工商行政管理局
- 2017年06月01日
- 张家港保税区新兴产业育成中心A栋253A室
- 自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外),智能磁传感模组及相关电子产品的设计、生产、研发及销售并提供售后服务,研发和生产高灵敏度磁敏材料、晶圆、芯片和磁传感器。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 森尼克 | http://www.sentronictek.com/ |
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN205385044U | 用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构 | 2016.07.13 | 本实用新型公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构,通过过渡层,屏蔽了掺杂效应,保证了薄膜层的电 |
2 | CN205808430U | 一种磁编码器及其导磁码盘 | 2016.12.14 | 本实用新型揭露一种磁编码器及其导磁码盘及该导磁码盘的制备方法,该磁编码器通过在导磁码盘上设置对永磁体 |
3 | CN205335259U | 一种高性能磁阻器件 | 2016.06.22 | 本实用新型公开了一种高性能磁阻器件,包括第一电极、第二电极以及多个连接电极,设InSb薄膜圆盘为n个 |
4 | CN106052723A | 一种磁编码器及其导磁码盘及导磁码盘的制备方法 | 2016.10.26 | 本发明揭露一种磁编码器及其导磁码盘及该导磁码盘的制备方法,该磁编码器通过在导磁码盘上设置对永磁体产生 |
5 | CN105720128A | 一种InSb光导器件及其制备方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种InSb光导器件及其制备方法。InSb光导器件包括InSb光敏元件,InSb光敏元件 |
6 | CN205335299U | 一种具有预埋电极的磁敏器件 | 2016.06.22 | 本实用新型公开了一种具有预埋电极的磁敏器件,通过在基底与InSb薄膜之间预埋电极,并使电极部分被In |
7 | CN205248317U | 一种具有延伸电极的磁敏器件 | 2016.05.18 | 本实用新型公开了一种具有延伸电极的磁敏器件,通过将电极从InSb薄膜上延伸至基底的上表面,而打线时则 |
8 | CN105470382A | 一种具有延伸电极的磁敏器件及制造工艺 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种具有延伸电极的磁敏器件及制造工艺,通过将电极从InSb薄膜上延伸至基底的上表面,而打 |
9 | CN105470276A | 一种高性能磁阻器件及制造工艺 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种高性能磁阻器件及制造工艺,通过多个科比诺圆盘的串联结构,取代传统的长条形磁阻器件,在 |
10 | CN105470384A | 用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构及制造工艺 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构及制造工艺,通过过渡层,屏蔽了掺杂效应,保证了薄膜 |
11 | CN105470383A | 一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺,通过在基底与InSb薄膜之间预埋电极,并使电极部分 |